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カタログ番号 | AS3651 |
素材 | Ar2S3 |
成長法 | ブリヂマン-ストックバーガー |
バンドギャップ | バルクでは ~2.2 eV |
純度 | 99.999% |
硫化ヒ素(As2S3)は、ダイレクトギャップ半導体であり、約2.5eVのバンドギャップを持っています。Stanford Advanced Materials (SAM)は、高品質の光学製品の製造と供給において豊富な経験を有しています。
詳細および最新価格については、お気軽にお問い合わせください。