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GA2171 ガリウム砒素ウェーハ (GaAs)

カタログ番号 GA2171
素材 ガリウムひそリン
厚さ 350 um ~ 625 um
導電性タイプ Pタイプ / Nタイプ / 半断熱
直径 φ2インチ/φ3インチ/φ4インチ
ポリタイプ 4H / 6H

Stanford Advanced Materials (SAM)は、LEC法とVGF法の2つの主要な成長技術によって製造された単結晶GaAsウェハを提供しており、高い電気特性の均一性と優れた表面品質を持つGaAs材料の幅広い選択肢をお客様に提供することができます。

関連製品窒化ガリウムウエハサファイアウエハ炭化ケイ素ウエハシリコンウエハゲルマニウムウエハ(Geウエハ)

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概要
仕様
SDS

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