SC2276 SOIウェハ

SAMは直径2 "から12 "までのシリコン熱酸化膜ウェハを提供し、お客様の特別な要求を満たすために、均一性の高い熱酸化膜を成長させるための基板として、常にプライムグレードで欠陥のないシリコンウェハを選択します。

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製造方法	融着
直径	2''から12''まで
デバイス厚さ	2 um ~ 300 um
公差	+/- 0.5 um ～ 2 um
方向	<100> / <111> / <110> またはその他
導電率	Pタイプ / Nタイプ / イントリンシック
ドーパント	ホウ素／リン／アンチモン／ヒ素
抵抗率	0.001 ~ 100000 ohm-cm
酸化膜厚	500A ~ 4 um
公差	+/- 5%
ハンドルウェハー	>= 300 um
表面	両面研磨
コーティング	SOIウェハーの両面に酸化物および窒化物を供給可能

接合方法	融着
直径	2インチ～12インチ
デバイスの厚さ	2 um ~ 300 um
公差	+/- 0.5 um ～ 2 um
方向	<100> / <111> / <110> またはその他
導電率	Pタイプ / Nタイプ / イントリンシック
ドーパント	ホウ素／リン／アンチモン／ヒ素
抵抗率	0.001 ~ 100000 ohm-cm
酸化膜厚	500A ~ 4 um
公差	+/- 5%
ハンドルウェハー	>= 300 um
表面	両面研磨
コーティング	SOIウェハーの両面に酸化物および窒化物を供給可能