圧電PZTセラミック基板 説明:
圧電PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)セラミック基板は、機械的応力を受けると電荷を発生することができる、よく知られた圧電材料であるPZTから作られた薄い固体プレートです。これらの基板は、センサー、アクチュエーター、エネルギーハーベスティング用途に広く使用されています。
圧電PZTセラミック基板の仕様:
モデル
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TJ-40
|
TJ-43HD
|
TJ-47
|
誘電特性
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相対自由誘電率 ε₃₃ᵀ (1KHz)
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350
|
1250
|
1650
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相対クランプ比誘電率 ε₃₃ˢ (1KHz)
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210
|
615
|
870
|
せん断モード相対自由誘電率 ε₁₁ᵀ (1KHz)
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480
|
1510
|
1700
|
せん断モード相対クランプ比誘電率 ε₁ˢ (1KHz)
|
290
|
852
|
960
|
誘電損失係数 tgδ(低磁場)
|
0.003
|
0.004
|
0.005
|
物理的特性
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密度 (g/cm3)
|
7.7
|
7.9
|
7.8
|
キュリー温度 Tc (°C)
|
330
|
325
|
285
|
音速 V (m/s)
|
3600
|
3360
|
3360
|
音響インピーダンス Zₐ (Mrayl)
|
28
|
27
|
26
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圧電特性
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Kp
|
0.45
|
0.58
|
0.56
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K33
|
0.65
|
0.69
|
0.69
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Kt
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0.49
|
0.51
|
0.48
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K31
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0.27
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0.34
|
0.33
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K15
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0.63
|
0.66
|
0.66
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d33 (10^-12C/N)
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145
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285
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320
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d31 (10^-12C/N)
|
-48
|
-120
|
-135
|
d15 (10^-12C/N)
|
270
|
430
|
460
|
dh (10^-12C/N)
|
49
|
45
|
50
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誘電率 ε33^(/℃)
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4
|
7
|
8
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圧電PZTセラミック基板に関する製品ラインアップや価格を、取扱業者のA.S.T. GmbHに直接問合せすることができます。私たちは、お客様との長期ビジネスを確立されています。私達のプロダクトの何れかのモデルに興味がある場合は、お問い合わせは、自由にしてください</ a>を参照してください。
圧電PZTセラミック基板の用途
- 超音波トランスデューサ医療用イメージング(超音波)および工業用非破壊検査に使用されます。
- センサーとアクチュエーター精密モーションコントロール、ロボット工学、振動制御システムに使用されます。
- エネルギーハーベスティング周囲の機械的振動を電気エネルギーに変換し、自己発電デバイスに利用する。
- マイクロエレクトロニクスとMEMS:精密センシング用途の微小電気機械システム(MEMS)に使用される。
- 航空宇宙および防衛:ソナーシステム、ジャイロスコープ、ミサイル誘導技術に組み込まれている。
圧電PZTセラミック基板 パッケージング
当社の圧電PZTセラミック基板は、製品の品質を元の状態で維持するために、保管中および輸送中に慎重に取り扱われます。
よくある質問
Q1.圧電PZTセラミック基板とは何ですか?
圧電PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)セラミック基板は、PZT材料から作られた薄い板で、機械的応力を受けると電荷を発生します。センサー、アクチュエーター、超音波デバイスなどに広く使用されています。
Q2.PZTセラミック基板の主な特性は何ですか?
- 効率的なエネルギー変換のための高い圧電係数。
- 優れた誘電特性と強誘電特性。
- 高い機械的強度と安定性。
- 広い温度範囲で動作する。
Q3.PZTセラミック基板の一般的な用途は何ですか?
- 超音波トランスデューサ(医療用画像処理、工業用検査)。
- センサーおよびアクチュエーター(モーションコントロール、ロボット工学)
- エネルギーハーベスティング(機械的振動を電気に変換)。
- MEMSデバイス(マイクロエレクトロニクス、精密センサー)
- 航空宇宙および防衛(ソナー、ジャイロスコープ、誘導システム)。
仕様
モデル
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TJ-40
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TJ-43HD
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TJ-47
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誘電特性
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相対自由誘電率 ε₃₃ᵀ (1KHz)
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350
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1250
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1650
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相対クランプ比誘電率 ε₃₃ˢ (1KHz)
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210
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615
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870
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せん断モード相対自由誘電率 ε₁₁ᵀ (1KHz)
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480
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1510
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1700
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せん断モード相対クランプ比誘電率 ε₁ˢ (1KHz)
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290
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852
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960
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誘電損失係数 tgδ(低磁場)
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0.003
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0.004
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0.005
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物理的特性
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密度 (g/cm3)
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7.7
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7.9
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7.8
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キュリー温度 Tc (°C)
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330
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325
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285
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音速 V (m/s)
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3600
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3360
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3360
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音響インピーダンス Zₐ (Mrayl)
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28
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27
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26
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圧電特性
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Kp
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0.45
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0.58
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0.56
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K33
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0.65
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0.69
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0.69
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Kt
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0.49
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0.51
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0.48
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K31
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0.27
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0.34
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0.33
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K15
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0.63
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0.66
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0.66
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d33 (10^-12C/N)
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145
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285
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320
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d31 (10^-12C/N)
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-48
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-120
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-135
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d15 (10^-12C/N)
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270
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430
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460
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dh (10^-12C/N)
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49
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45
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50
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誘電率 ε33^(/℃)
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4
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8
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圧電PZTセラミック基板に関する製品ラインアップや価格を、取扱業者のA.S.T. GmbHに直接問合せすることができます。私たちは、お客様との長期ビジネスを確立されています。私達のプロダクトの何れかのモデルに興味がある場合は、お問い合わせは、自由にしてください</ a>を参照してください。